한국도레이과학진흥재단

왕건욱 교수는 기존 실리콘 기반의 반도체 소자의 고집적화에서 발생하는 양자 간섭효과 문제, 터널링 현상, 불안정한 토핑, 과열 현상 등으로 예측할 수 없는 불안정한 구동 특성 등을 해결하기 위한 과제를 설정했다.

기존과 전혀 다른 수직형 분자 트랜지스터를 제작하고 이를 기반으로 한 논리소자(NAND/NOR, 인버터)를 세계 최초로 구현하고자 하는 것을 목표로 하고 있다. 이는 활성층으로 이차원 물질과 분자 소재를 이용하여 접합 길이가 Sub-5nm 스케일의 분자-스케일의 수직형 트랜지스터를 개발하는 것으로 수직형 분자 트랜지스터의 플랫폼 기술이 될 수 있다.

이를 통해 저전력, 초경량화가 필요한 차세대 전자소자의 주요 소재 ․ 소자로 상용될 수 있을 것으로 보이며, 미래소자에 대한 원천기술의 확보와 분자전자학에 중요한 발전점이 될 것으로 기대된다. 2차원의 기능성 전자소재를 만들어 온 부분을 획기적으로 개선하는 매우 도전적인 과제로 실적과 선행연구로 미루어 볼 때 실현가능성이 높다고 판단된다.